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C轴压力下ZnO晶体结构及电子性质的第一性原理研究
被引:7
作者
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巩纪军
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刘俊明
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]
机构
:
[1]
华南师范大学先进材料研究所,物理与电信工程学院
[2]
兰州理工大学理学院
[3]
华南师范大学物理与电信工程学院
[4]
南京大学固体微结构国家实验室
来源
:
原子与分子物理学报
|
2012年
/ 29卷
/ 04期
关键词
:
氧化锌;
压力;
电子结构;
第一性原理;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN304.2 [化合物半导体];
学科分类号
:
080906
[电磁信息功能材料与结构]
;
摘要
:
本文采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法对ZnO晶体在c轴取向压力作用下的晶体结构、电子结构的变化进行了研究.结果表明,当压力在0~6 GPa区间时,晶格参数呈线性变化,带隙随压力增大而增大,显示弹性应变特征;当压力从6 GPa增大到10 GPa的过程中,晶体结构有了较大变化,出现了介于常压下纤锌矿结构和等静压高压下NaCl结构之间的类石墨结构(Graphitelike structure).伴随着这一结构相变,ZnO的晶格参数,能隙和态密度等电子结构出现了较大跃变.
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