C轴压力下ZnO晶体结构及电子性质的第一性原理研究

被引:7
作者
巩纪军 [1 ,2 ]
曾敏 [1 ]
秦明辉 [1 ]
赵红波 [1 ,3 ]
高兴森 [1 ]
熊予莹 [3 ]
刘俊明 [4 ]
机构
[1] 华南师范大学先进材料研究所,物理与电信工程学院
[2] 兰州理工大学理学院
[3] 华南师范大学物理与电信工程学院
[4] 南京大学固体微结构国家实验室
关键词
氧化锌; 压力; 电子结构; 第一性原理;
D O I
暂无
中图分类号
TN304.2 [化合物半导体];
学科分类号
080906 [电磁信息功能材料与结构];
摘要
本文采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法对ZnO晶体在c轴取向压力作用下的晶体结构、电子结构的变化进行了研究.结果表明,当压力在0~6 GPa区间时,晶格参数呈线性变化,带隙随压力增大而增大,显示弹性应变特征;当压力从6 GPa增大到10 GPa的过程中,晶体结构有了较大变化,出现了介于常压下纤锌矿结构和等静压高压下NaCl结构之间的类石墨结构(Graphitelike structure).伴随着这一结构相变,ZnO的晶格参数,能隙和态密度等电子结构出现了较大跃变.
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页数:7
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