GaAs微波单片集成电路的主要失效模式及机理

被引：12

作者：

黄云

机构：

[1] 信息产业部电子第五研究所广东广州

来源：

关键词：

砷化镓; 微波单片集成电路; 失效模式; 退化机理;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN454 [微波混合集成电路（微波集成电路）];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

从可靠性物理的角度,深入分析了引起砷化镓微波单片集成电路(GaAsMMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了 GaAs MMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入损伤退化,主要的失效部位是MMIC的有源器件。

引用

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