掺杂纳米硅薄膜微结构的研究

被引：11

作者：

王金良

徐刚毅

王天民

机构：

[1] 北京航空航天大学理学院,北京航空航天大学理学院,北京航空航天大学理学院北京,北京,北京

来源：

自然科学进展 | 2001年 / 03期

关键词：

等离子增强化学气相沉积; 掺杂纳米硅薄膜; 微结构;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB383 [特种结构材料];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 1406 ;

摘要：

采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法成功地沉积出掺杂(主要是磷、硼)纳米硅(nc-Si:H)薄膜。利用高分辨电子显微镜(HREM)、Raman散射、X射线衍射(XRD)、Auger电子谱(AES)和共振核反应(RNR)等手段对掺入不同杂质后的纳米硅薄膜的微结构进行了系统的研究,实验结果表明,随着掺磷浓度的增加,掺杂纳米硅薄膜的晶粒尺寸减小,晶态比和晶粒密度增加。而随着掺硼浓度的增加,掺杂纳米硅薄膜的晶粒尺寸没有变化,晶态比减小,掺硼浓度达到一定程度时,则变成了非晶硅薄膜。

引用

页码：109 / 114

页数：6

共 5 条

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