非晶硅薄膜的基本性质及其在台面型硅器件上的钝化作用

被引：4

作者：

何宇亮

机构：

[1] 南京大学固体物理研究所

来源：

关键词：

晶硅薄膜; 淀积; 钝化保护膜; 非晶硅膜; 反向漏电流; 单晶硅材料; 硅器件; 钝化作用; 面型;

D O I：

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中图分类号：

学科分类号：

摘要：

利用非晶硅薄膜的半绝缘特性将它作为硅器件,尤其是台面型硅器件的钝化保护膜,经过长达两年的实验和生产上的试用,证实了它具有特殊的优点.α-Si:H薄膜中的氢能直接填补c-Si界面上的缺陷态,降低界面态密度,使器件反向漏电流大大下降,从而改善了硅器件的稳定性,提高了可靠性与成品率,具有明显的经济效益

引用

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