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纳米结构器件材料结构参数的新测试方法附视频
被引：1
作者：
薛舫时
机构：
[1] 半导体超晶格国家重点实验室!北京南京电子器件研究所南京
来源：
关键词：
纳米结构;
结构参数;
测试方法;
理论计算;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN385 [微波半导体器件];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
使用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ 模拟方法和器件振荡特性测试研究了异质谷间转移电子器件的直流隧穿特性和射频振荡性能与器件结构参数之间的关系．理论计算结果与实验数据间吻合得很好．在此基础上提出了通过电性能测试来分析器件结构参数的新方法．使用逐层化学腐蚀Ｃ－Ｖ测试测定了有源层的掺杂分布．通过低场电阻测量确定了量子阱的宽度．最后从器件振荡特性与Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ 模拟曲线的对照中得出了掺杂接口的浓度．由此建立了器件结构参数的一套完整的测试分析方法．使用这套测试监控方法，已成功地研制出ＭＢＥ和ＭＯＣＶＤ工艺的高效、大功率振荡器件
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页数：7
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