智能剥离SOI高温压力传感器

被引：9

作者：

黄宜平

竺士炀

李爱珍

鲍敏杭

沈绍群

王瑾

吴东平

机构：

[1] 复旦大学电子工程系!上海

来源：

半导体学报 | 2001年 / 07期

关键词：

SOI; 压力传感器; 低温键合; 智能剥离; 高温;

D O I：

暂无

中图分类号：

TP212.1 [物理传感器];

学科分类号：

摘要：

采用改进的 RCA清洗工艺提高了硅片的低温键合质量 ,提出了一种积聚式缓慢退火剥离方法用于制备智能剥离 SOI (Silicon On Insulator)材料 ,并用该材料成功地研制了双岛 -梁 -膜结构的 SOI高温压力传感器 .对 SOI压力传感器的测量结果表明 ,当温度增加到 15 0℃左右时 ,输出电压没有明显的变化 ,其工作温度高于一般的体硅压力传感器 (其工作温度一般在 12 0℃以下 ) .测得所制备 SOI压力传感器的灵敏度为 6 3m V/ (MPa· 5 V) ,比用相同版图设计和工艺参数制备的多晶硅压力传感器高约 7倍多

引用

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