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铟掺杂的氧化锌纳米带的制备和发光特性附视频
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作者
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卢会清
高红
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哈尔滨师范大学物理系
高红
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张锷
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张喜田
机构
:
[1]
哈尔滨师范大学物理系
来源
:
人工晶体学报
|
2008年
/ 02期
关键词
:
ZnO纳米带;
掺杂;
化学气相沉积;
D O I
:
10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2008.02.031
中图分类号
:
TB383.1 [];
学科分类号
:
070205 ;
080501 ;
1406 ;
摘要
:
以混合的ZnO粉和金属In作为前驱物,通过化学气相沉积方法在Si衬底上合成了In掺杂的ZnO纳米带。利用场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜以及附带的能谱仪对它们的结构和成分进行了表征。结果表明,ZnO纳米带沿<101-0>方向生长;In的掺杂浓度是21%原子分数。讨论了ZnO纳米带的形成机制和光致发光特性。
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[1]
氧化镓纳米带的合成和发光性质研究
[J].
郭彦
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介观化学教育部重点实验室江苏省纳米技术重点实验室南京大学化学系
郭彦
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吴强
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无机化学学报,
2005,
(05)
:669
-672+611
[2]
单晶ZnO纳米线的合成和生长机理研究
[J].
李宗木
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徐法强
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孙秀玉
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张文华
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徐向东
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中国科技大学国家同步辐射实验室,国家纳米科学中心,中国科学院高能物理研究所同步辐射中心合肥,北京,北京
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徐彭寿
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吴自玉
.
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Indium-doped zinc oxide nanobelts[J] . Jiansheng Jie,Guanzhong Wang,Xinhai Han,Qingxuan Yu,Yuan Liao,Gongpu Li,J.G. Hou.Chemical Physics Letters . 2004 (4)
[4]
Graphite/hydrogen reduction route to Ga2O3 nanobelts
[J].
Zhang, J
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Zhang, J
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2002,
122
(09)
:493
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[5]
Catalytic growth of semiconducting zinc oxide nanowires and their photoluminescence properties
[J].
Wang, YW
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[1]
氧化镓纳米带的合成和发光性质研究
[J].
郭彦
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介观化学教育部重点实验室江苏省纳米技术重点实验室南京大学化学系
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陈懿
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无机化学学报,
2005,
(05)
:669
-672+611
[2]
单晶ZnO纳米线的合成和生长机理研究
[J].
李宗木
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中国科技大学国家同步辐射实验室,国家纳米科学中心,中国科学院高能物理研究所同步辐射中心合肥,北京,北京
李宗木
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徐法强
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孙秀玉
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吴自玉
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化学物理学报,
2005,
(01)
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-121
[3]
Indium-doped zinc oxide nanobelts[J] . Jiansheng Jie,Guanzhong Wang,Xinhai Han,Qingxuan Yu,Yuan Liao,Gongpu Li,J.G. Hou.Chemical Physics Letters . 2004 (4)
[4]
Graphite/hydrogen reduction route to Ga2O3 nanobelts
[J].
Zhang, J
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2002,
122
(09)
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[5]
Catalytic growth of semiconducting zinc oxide nanowires and their photoluminescence properties
[J].
Wang, YW
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