铟掺杂的氧化锌纳米带的制备和发光特性附视频

被引:4
作者
卢会清
高红
张锷
张喜田
机构
[1] 哈尔滨师范大学物理系
关键词
ZnO纳米带; 掺杂; 化学气相沉积;
D O I
10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2008.02.031
中图分类号
TB383.1 [];
学科分类号
070205 ; 080501 ; 1406 ;
摘要
以混合的ZnO粉和金属In作为前驱物,通过化学气相沉积方法在Si衬底上合成了In掺杂的ZnO纳米带。利用场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜以及附带的能谱仪对它们的结构和成分进行了表征。结果表明,ZnO纳米带沿<101-0>方向生长;In的掺杂浓度是21%原子分数。讨论了ZnO纳米带的形成机制和光致发光特性。
引用
收藏
页码:376 / 379
页数:4
相关论文
共 5 条
[1]   氧化镓纳米带的合成和发光性质研究 [J].
郭彦 ;
吴强 ;
王喜章 ;
胡征 ;
陈懿 .
无机化学学报, 2005, (05) :669-672+611
[2]   单晶ZnO纳米线的合成和生长机理研究 [J].
李宗木 ;
徐法强 ;
孙秀玉 ;
张文华 ;
徐向东 ;
徐彭寿 ;
吴自玉 .
化学物理学报, 2005, (01) :117-121
[3]  
Indium-doped zinc oxide nanobelts[J] . Jiansheng Jie,Guanzhong Wang,Xinhai Han,Qingxuan Yu,Yuan Liao,Gongpu Li,J.G. Hou.Chemical Physics Letters . 2004 (4)
[4]   Graphite/hydrogen reduction route to Ga2O3 nanobelts [J].
Zhang, J ;
Zhang, LD .
SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2002, 122 (09) :493-496
[5]   Catalytic growth of semiconducting zinc oxide nanowires and their photoluminescence properties [J].
Wang, YW ;
Zhang, LD ;
Wang, GZ ;
Peng, XS ;
Chu, ZQ ;
Liang, CH .
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2002, 234 (01) :171-175