纳米硅薄膜的电致发光和光致发光探索

被引：2

作者：

何宇亮

余明斌

万明芳

李雪梅

徐士杰

刘湘娜

于晓梅

郑厚植

罗晋生

魏希文

戎霭伦

机构：

[1] 北京航空航天大学非晶态物理研究室,北京航空航天大学非晶态物理研究室,北京航空航天大学非晶态物理研究室,北京航空航天大学非晶态物理研究室,中国科学院半导体研究所超品格国家实验室,南京大学固体微结构物理实验室,北京航空航天大学非晶态物理研究室,中国科学院半导体研究所超品格国家实验室,西安交通大学电子工程系,大连理工大学物理系,北京航空航天大学非晶态物理研究室北京南京大学固体微结构物理实验室,南京,北京西安交通大学电子工程系,西安,北京大连理工大学物理系,大连,北京大连理工大学物理系,大连,北京,南京,北京,北京

来源：

自然科学进展 | 1995年 / 03期

关键词：

纳米硅; 电致发光; 光致发光;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.4 [薄膜的性质];

学科分类号：

摘要：

<正> 自从多孔硅的光致发光被报道以来,引起人们的极大关注,这方面的研究得到很大的发展。关于其发光机理,文献[2～4]分别作了解释,目前还存在一定分歧,但人们已经普遍认为量子限制效应在起重要作用,同时表面态也有一定作用。另一方面,虽然多孔硅有很强的发光,但其发光稳定性却一直不能得到很好解决,而且多孔硅的制备为湿法工艺,与传统的硅平面工艺相差甚远,这给多孔硅的进一步发展和应用带来很大困难.Veprek等报道了对非晶硅进行高温下氧气氛中后退火处理,使非晶硅薄膜中形成小颗粒晶粒,在室温下看到了光

引用

页码：105 / 107

页数：3

共 4 条

[1] 用等离子体增强化学汽相沉积方法制备纳米晶粒硅薄膜光致发光
刘湘娜，吴晓薇，鲍希茂，何宇亮
[J]. 物理学报, 1994, (06) : 985 - 990
[2] 多孔硅发强可见光的新物理模型
秦国刚
贾勇强
[J]. 半导体学报, 1993, (10) : 648 - 651
[3] Photoluminescence studies on porous silicon. Xu Z Y, Gal M, Gross M. Applied Physics . 1992
[4] The origin of visible luminescence from "porous silicon": A new interpretation. Brandt M S, Fuchs H D, Stutzmann M, et al. Solid State Communications . 1992

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