纳米硅薄膜中的量子点特征

被引：17

作者：

何宇亮

余明斌

吕燕伍

戎霭伦

刘剑

徐士杰

罗克俭

奚中和

机构：

[1] 北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室,北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室,北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室,北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室,中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家实验室,中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家实验室,中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家实验室,北京大学无线电电子学系北京,北京西安理工大学物理系,西安,北京,北京,北京,北京,北京,北京

来源：

自然科学进展 | 1996年 / 06期

关键词：

纳米硅; 微晶粒; 量子点; 量子隧穿作用;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB383 [特种结构材料];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 1406 ;

摘要：

从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒(3～6 nm)具有量子点(Q.D)特征。在其电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减而增大的小尺寸效应。使用薄层(～20nm厚)纳米硅膜制成了隧道二极管,已在液氮温区(≈77K)在其Ⅰ-Ⅴ及(?)-Ⅴ曲线上呈现出Coulomb台阶。对实验结果做了初步分析讨论。

引用

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