MOSFET器件并联实验研究

被引：7

作者：

张良

黄子平

刘承俊

章林文

机构：

[1] 中国工程物理研究院流体物理研究所

来源：

通信电源技术 | 2007年 / 06期

关键词：

并联; 兆赫兹重复频率; MOSFET; 固体开关;

D O I：

10.19399/j.cnki.tpt.2007.06.002

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

采用图腾柱的驱动方式,设计了应用于IXYS公司的功率MOSFET器件DE375-102N12的驱动电路。单个开关在多脉冲下具有良好的脉冲一致性。以该功率MOSFET器件进行的6个并联实验说明,影响并联的MOSFET的动态均流的主要参数是放电回路中的回路电感和寄生电感,电路板的布局与布线对并联的功率MOSFET有很大的影响,良好的布局可以大大提高电路的性能。

引用

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