线列熔融石英微透镜阵列的光刻和氩离子束刻蚀制备

被引:8
作者
张新宇
易新建
赵兴荣
麦志洪
何苗
刘鲁勤
机构
[1] 华中理工大学光电子工程系!武汉
[2] 航天部二院所!北京
关键词
光刻/氩离子束刻蚀; 熔融石英微透镜阵列; 微透镜制备;
D O I
暂无
中图分类号
TN305.7 [光刻、掩膜];
学科分类号
1401 ;
摘要
采用光刻和熔融成形法制备线列长方形供面光致抗蚀剂微透镜图形,采用固化技术对其作重整化处理,采用氩离子(Ar+)束刻蚀有效地实现线列长方形拱面光致抗蚀剂微透镜图形阵列向熔融石英(SiO2)基片上转移。所制单元熔融石英微透镜底部的外形尺寸为300×95μm2,平均冠高14.3μm,平均曲率半径为86μm,平均焦距为258.1μm平均F/数2.7,平均大T/数2.9;平均光焦度5.8×10(-3)折光度。扫描电子显微镜(SEM)和表面探针测试表明,所制成的线列熔融石英微透镜阵列的图形整齐均匀,每个单元长方形拱面熔融石英微透镜的轮廓清晰,表面光滑平整。实验结果证实,光刻/氩离子束刻蚀技术适用于制备具有良好的均匀性和光学质量的单片熔融石英微透镜阵列器件,此技术对于制备与大面阵凝视焦平面成像探测器相匹配的大面降微透镜阵列具有重要意义。
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