GaN基LED量子阱内量子点发光性质的模拟分析

被引：5

作者：

王度阳

孙慧卿

解晓宇

张盼君

机构：

[1] 华南师范大学,光电子材料与技术研究所,广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室

来源：

物理学报 | 2012年 / 61卷 / 22期

关键词：

GaN; 量子点; 尺寸效应; 多波长LED;

D O I：

暂无

中图分类号：

O471.1 [半导体量子理论];

学科分类号：

摘要：

采用模拟计算的方法,运用量子点模型对GaN基LED器件中不同尺寸量子点的电致发光光谱进行模拟分析,并对器件结构中电子空穴浓度,辐射复合强度进行了研究.分析结果显示,随着量子点尺寸的增大,量子点发光波长存在红移,当圆柱状量子点半径从1.8nm增长到13nm时,波长红移309.6meV,在量子阱中生长单一尺寸的量子点可以达到不同波长的单色发光器件,而在不同量子阱中生长不同尺寸的量子点可以实现多波长发光,以及单颗LED的白色显示,并通过调节量子点的分布密度达到调节各发光波长强度的目的.结果表明,量子点分布密度调节之后多波长发光均匀性得到有效改善.

引用

页码：415 / 420

页数：6

共 4 条

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