IGBT功率模块键合线故障下的温度特性研究

被引：22

作者：

禹鑫 ^{[1
]}

杜明星 ^{[1
]}

窦汝振 ^{[2
]}

魏克新 ^{[1
]}

机构：

[1] 天津市复杂系统控制理论及应用重点实验室,天津理工大学

[2] 中国汽车技术研究中心

来源：

电力电子技术 | 2015年 / 49卷 / 02期

关键词：

绝缘栅双极型晶体管; 键合线故障; 温度特性;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN322.8 [];

学科分类号：

摘要：

针对IGBT功率模块不断承受温度变化和功率循环后导致的键合线脱落(典型故障之一),基于红外探测法和热电阻接触测温法,研究了IGBT模块键合线故障下从芯片到底板的稳态热阻抗、芯片温场分布和温度变化。研究表明:键合线脱落不会影响IGBT模块从芯片到底板的稳态热阻抗值;键合线脱落后,芯片表面温场分布不均且芯片中心温度变化率增大。这些温度变化特性均可作为诊断键合线故障的重要依据。

引用

页码：55 / 57

页数：3

共 4 条

[1]

IGBT芯片测温方法与温度分布研究 [J].

刘宾礼 ;

陈明 ;

唐勇 ;

王阔厅 .

武汉理工大学学报(交通科学与工程版), 2013, 37 (01) :144-148

[2]

IGBT结温及温度场分布探测研究 [J].

陈明 ;

胡安 ;

唐勇 ;

汪波 .

电力电子技术, 2011, 45 (07) :130-132

[3]

New technique for the measurement of the static and of the transient junction temperature in IGBT devices under operating conditions.[J].D. Barlini;M. Ciappa;A. Castellazzi;M. Mermet-Guyennet;W. Fichtner.Microelectronics Reliability.2006, 9

[4]

基于近似熵分析和小波变换的IGBT模块键合线故障特征分析 [D].

沈刚 .

重庆大学,

2012

← 1 →