IGBT芯片测温方法与温度分布研究

被引：25

作者：

刘宾礼 ^{[1
]}

陈明 ^{[1
]}

唐勇 ^{[1
]}

王阔厅 ^{[2
]}

机构：

[1] 海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室

[2] 海军潜艇学院

来源：

武汉理工大学学报(交通科学与工程版) | 2013年 / 37卷 / 01期

基金：

国家自然科学基金重点项目;

关键词：

IGBT芯片; 红外热成像; 温度分布; 发射率修正;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

推导出红外探测温度与真实温度之间的关系.通过确定合适的发射率修正方法,得到了IG-BT芯片的真实温度分布,得出芯片中心温度高于边缘温度,纠正了以往对该问题的错误认识,通过发射率修正和实验数据验证了该结论的正确性.

引用

页码：144 / 148

页数：5

共 6 条

[1]

一种改进的IGBT稳态解析模型 [J].

唐勇 ;

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武汉理工大学学报(交通科学与工程版), 2011, 35 (05) :936-939+944

[2]

绝缘栅双极型晶体管失效机理与寿命预测模型分析 [J].

陈明 ;

胡安 ;

刘宾礼 .

西安交通大学学报, 2011, (10) :65-71

[3]

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陈明 ;

胡安 ;

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[4]

电子器件真实温度和发射率分布的红外测量 [J].

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[5]

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齐文娟 .

长春理工大学,

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[6]

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