晶化对掺杂GD非晶硅薄膜导电性能的作用

被引：3

作者：

颜永红

何宇亮

吴汝麟

机构：

[1] 南京大学固体物理研究所

来源：

电子学报 | 1984年 / 05期

关键词：

硅薄膜; 非晶; 室温电阻率; 晶化过程; 导电性能; 多晶结构; 平均尺寸;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

在a-Si:H薄膜中进行置换式硼、磷掺杂能引起薄膜结构的变化。在一定衬底温度下,增大r.f淀积功率能使薄膜发生由非晶向微晶及类多晶结构的转化,晶化了的非晶硅薄膜的室温电阻率又可下降三个数量级,其电导激活能也大幅度下降。从而使薄膜的导电性能得到提高。只有在类多晶结构的硅膜中才能获得更高的电导率。

引用

页码：51 / 54

页数：4

共 5 条

[1] 晶化对A-Si:H膜中氢含量及键合形式的作用 [J].

何宇亮 ;

颜永红 .

物理学报, 1984, (10) :1472-1474

[2] 氢化非晶及微晶硅的氢含量和红外光谱研究 [J].

何宇亮 ;

颜永红 ;

殷晨钟 ;

玉志超 ;

沈学础 ;

朱浩荣 .

半导体学报, 1984, (05) :508-515

[3] G.D.非晶硅薄膜中掺硼的作用 [J].

吴汝麟 ;

何宇亮 ;

沈宗雍 ;

颜永红 ;

不详 .

科学通报 , 1983, (08) :460-463

[4] 非晶与多晶硅薄膜电导特性的研究 [J].

刘湘娜 ;

何宇亮 ;

沈宗雍 ;

吴汝麟 .

电子学报, 1983, (02) :21-25

[5] 非晶硅薄膜晶化与结构特性的研究 [J].

何宇亮 ;

刘湘娜 .

电子学报, 1982, (04) :71-74

← 1 →