共 5 条
氮化硅针状晶体的制备
被引：12
作者：
张景贤
江东亮
谭寿洪
归林华
阮美玲
机构：
[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所!高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室
[2] 上海
[3] 中国科学院上海硅酸盐研究所!高性能陶
来源：
关键词：
针状晶体;
氮化硅;
长径比;
D O I：
10.14062/j.issn.0454-5648.2000.02.010
中图分类号：
TQ174 [陶瓷工业];
学科分类号：
0805 ;
080502 ;
摘要：
采用Si粉直接氮化的方法制备氮化硅针状晶体 .通过热力学计算 ,选择了晶体生长的温度和压力范围 .探讨了温度、压力、添加剂等对针状晶体晶相、形貌、产率的影响 ,并在 1 850℃ ,CaO质量分数为 1 0 %条件下 ,制备了长径比为 4～ 1 0的 β -Si3N4 针状晶体 ,产率为 68% .采用XRD ,TEM ,SEM对得到的氮化产物及针状晶体进行了表征 .
引用
收藏
页码：142 / 146
页数：5
相关论文