电子束和X射线光刻制作高分辨率微波带片

被引：7

作者：

王德强 ^{[1
]}

曹磊峰 ^{[2
]}

谢常青 ^{[1
]}

叶甜春 ^{[1
]}

机构：

[1] 中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术实验室

[2] 中国工程物理研究院激光聚变研究中心

来源：

半导体学报 | 2006年 / 06期

关键词：

电子束; X射线光刻; 微波带片; 菲涅耳波带片;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305 [半导体器件制造工艺及设备];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150nm的阳图形微波带片,然后用同步辐射X射线光刻技术复制成功了最外环为150nm的阴图形微波带片,得到可以应用于ICF诊断技术中的微波带片.

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页码：1147 / 1150

页数：4

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