TiO2掺杂对ZnO-Bi2O3-TiO2低压压敏电阻电学性能的影响

被引：6

作者：

林枞 ^{[1
]}

徐政 ^{[1
]}

孙丹峰 ^{[2
]}

机构：

[1] 同济大学材料科学与工程学院

[2] 苏州中普电子有限公司

来源：

硅酸盐学报 | 2007年 / 01期

关键词：

氧化锌压敏电阻; 纳米胶体; 二氧化钛掺杂; 电性能;

D O I：

10.14062/j.issn.0454-5648.2007.01.005

中图分类号：

TB34 [功能材料];

学科分类号：

080501 ;

摘要：

通过研究微米粉体、纳米粉体和纳米胶体TiO2掺杂的ZnO压敏电阻的电性能,发现纳米胶体TiO2掺杂的ZnO压敏电阻具有较低的电压梯度和漏电流,而非线性系数较高。对电性能结果的分析表明:在ZnO–Bi2O3–TiO2低压压敏电阻中,晶界击穿电压不是一个固定值;漏电流中的线性分量对TiO2掺杂的ZnO压敏电阻电学性能影响很大。

引用

页码：21 / 25

页数：5

共 6 条

[1] 低压ZnO压敏电阻材料研究及发展概况 [J].