Ge/Au,Ge/Ag双层膜和Ge-Au,Ge-Ag合金膜中非晶Ge的晶化

被引:15
作者
张人佶
褚圣麟
吴自勤
机构
[1] 清华大学机械工程系
[2] 北京大学物理系
[3] 中国科学技术大学基础物理中心
关键词
晶化; 势垒; Ge/Au; Ge/Ag; 合金膜; 非晶; Ag; 双层膜;
D O I
暂无
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摘要
本文对Ge/An,Ge/Ag,双层膜和Ge-An,Ge-Ag合金膜的退火过程进行了透射电子显微镜观测,对Ge/多晶Au(或Ag)还进行了加热过程的原位观测。观测表明,多晶Au和单晶Au膜的存在使非晶Ge的晶化温度Tc的下降显著不同,可由晶界三叉点等处为非晶Ge的有利形核位置来解释,双层膜的缩聚区中由于局域优先晶化的影响,不仅Tc(=100℃)比非缩聚区中(Tc=150℃)低,而且形成直径为1—2μm的Ge大晶粒,而Ge/多晶Ag和Ge/单晶Ag膜的Tc均约为280C,合金膜中金属含量较低时(CAu<17at%,CAg<18at%),Tc高于相应的Ge/多晶Au(Ag)膜;金属含量较高时,Tc低于Ge/多晶Au(Ag)膜。这说明过饱和金属原子的存在使得非晶Ge的晶化势垒大大降低。
引用
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页码:365 / 374+422 +422-424
页数:13
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