冲击电压作用下绝缘子表面电荷的积聚

被引：10

作者：

汪沨

邱毓昌

张乔根

王琦

机构：

[1] 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室

来源：

高电压技术 | 2002年 / 08期

关键词：

绝缘子; 电荷; 冲击电压;

D O I：

10.13336/j.1003-6520.hve.2002.08.003

中图分类号：

TM216 [绝缘子和套管];

学科分类号：

摘要：

试验研究冲击电压作用下绝缘子表面电荷的分布及冲击电压幅值对绝缘子表面电荷积聚影响的结果表明 :在极不均匀场中 ,绝缘子表面的电荷密度并不总是随着冲击电压幅值的增加而逐渐增加 ,在预闪络条件下表面电荷密度会由于预放电电流等离子体的中和作用而减少 ;绝缘子表面电荷积聚与电极形状有关 ;积聚在绝缘子表面的电荷主要来源于绝缘子表面气体侧的局部放电 ;在一定的条件下冲击电压作用下的表面电荷积聚与直流电压作用下的表面电荷积聚一样严重

引用

页码：7 / 8+30 +30

页数：3

共 4 条

[1] 测量绝缘子表面电荷用的新型电容探头 [J].