高k介质在新型半导体器件中的应用

被引：7

作者：

黄力 ^{[1
]}

黄安平 ^{[2
]}

郑晓虎 ^{[2
]}

肖志松 ^{[2
]}

王玫 ^{[2
]}

机构：

[1] 北京航空航天大学电子信息工程学院

[2] 北京航空航天大学物理科学与核能工程学院

来源：

物理学报 | 2012年 / 61卷 / 13期

关键词：

高k材料; FinFET; 石墨烯器件; 忆阻器;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

当CMOS器件特征尺寸缩小到45 nm以下,SiO2作为栅介质材料已经无法满足性能和功耗的需要,用高k材料替代SiO2是必然选择.然而,由于高k材料自身存在局限性,且与器件其他部分的兼容性差,产生了很多新的问题如界面特性差、阈值电压增大、迁移率降低等.本文简要回顾了高k栅介质在平面型硅基器件中应用存在的问题以及从材料、结构和工艺等方面采取的解决措施,重点介绍了高k材料在新型半导体器件中的应用,并展望了未来的发展趋势.

引用

页码：473 / 480

页数：8

共 4 条

[1] 稀土元素掺杂的Hf基栅介质材料研究进展 [J].

郑晓虎 ;

黄安平 ;

杨智超 ;

肖志松 ;

王玫 ;

程国安 .

物理学报, 2011, 60 (01) :809-820

[2] pMOS金属栅极材料的研究进展 [J].

杨智超 ;

黄安平 ;

肖志松 .

物理, 2010, 39 (02) :113-122

[3] 高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层(上) [J].

翁妍 ;

汪辉 .

半导体技术, 2008, (01) :1-5

[4]

D. Hisamoto,W.-Ch. Lee,J. Kedzierski,H. Takeuchi,K. Asano,C. Kuo,E. Anderson,T.-J. King,J. Bokor,Ch. Hu. IEEE Trans. Electron Devices . 2000

← 1 →