X 射线双晶衍射在新材料研究中的应用

被引:2
作者
朱南昌
李润身
陈京一
机构
[1] 中国科学院上海冶金研究所
关键词
离子注入; X 射线双晶衍射; 计算机模拟;
D O I
暂无
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摘要
本文介绍了 X 射线双晶衍射术的基本原理。描述了双晶衍射技术在半异体材料的离子注入、单层及多层异质结外延膜、应变超晶格等新型材料研究中的应用。给出了双晶衍射对 Si 中高能 B+注入和 InxGa1-xAs/GaAs 超晶格研究的实例。
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H.K.Wagenfeld ;
J.S.Williams ;
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半导体学报, 1990, (01) :14-19
[3]   液相外延(BiTm)3(FeGa)5O12石榴石单晶薄膜的X射线双晶衍射仪研究 [J].
田亮光 ;
刘湘林 ;
许顺生 ;
韩效溪 .
物理学报, 1989, (10) :1704-1709+1729
[4]  
X射线衍衬貌相学.[M].许顺生;冯端 主编.科学出版社.1987,