纳米硅薄膜研究进展

被引：6

作者：

史国华

张溪文

杜丕一

韩高荣

机构：

[1] 浙江大学材料系!硅材料国家重点实验室

[2] 浙江杭州

来源：

关键词：

纳米硅薄膜; 制备; 结构特征; 光电特性;

D O I：

10.14136/j.cnki.issn1673-2812.1999.03.010

中图分类号：

TN304.055 []; TN304.1 [元素半导体];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

纳米硅薄膜具有独特的结构和许多优异的光电性能，可望应用于新型光电器件、大规模集成电路等领域。本文从制备技术、沉积机理、结构和性能各方面对纳米硅薄膜的研究进展情况作了回顾和综述，并对其发展前景作了展望

引用

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