超陷光黑硅结构研究

被引：7

作者：

钱超峰

王庆康

李海华

机构：

[1] 上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室

来源：

光学学报 | 2011年 / 31卷 / 10期

关键词：

衍射; 黑硅; 等效媒质理论; 超陷光; 圆锥阵列结构;

D O I：

暂无

中图分类号：

O436.1 [干涉与衍射]; TM914.4 [太阳能电池];

学科分类号：

070207 ; 0803 ; 080502 ;

摘要：

研究了超陷光黑硅表面圆锥阵列结构的设计。将圆锥结构分为五层,利用等效媒质理论进行了参数设计。考虑了硅材料折射率随波长的变化,用严格耦合波理论对不同入射角,圆锥阵列结构高度以及占空比时的反射率进行了计算分析。发现,圆锥阵列超陷光结构的周期为135nm,高度为480nm时,在0°～60°入射角范围内,对波长为300～1200nm的入射光的反射率都小于5%。

引用

页码：61 / 65

页数：5

共 11 条

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