氮离子注入的拟南芥M1代RAPD分析

被引:8
作者
王卫东
刘磊安
王燕
秦广雍
霍裕平
机构
[1] 郑州大学离子束生物工程省重点实验室
关键词
离子注入; 拟南芥; 离子束诱变; RAPD; 变异率;
D O I
10.13207/j.cnki.jnwafu.2004.05.011
中图分类号
S330 [作物遗传育种];
学科分类号
摘要
对拟南芥种子进行能量为30keV的不同剂量N+离子束诱变,以当代拟南芥幼苗叶片为材料建立基因池,并进行随机引物扩增多态性DNA(RAPD)技术分析。结果表明,每个基因池可扩增出约200条有效条带,不同剂量组变异率随剂量的增加而增大。对经离子注入后的拟南芥发芽率统计显示,发芽率并不随剂量的增加而单调下降。最后初步探讨了不同剂量条件下发芽率和变异率变化趋势不一致的机制。
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