GaN基发光二极管外量子效率研究进展

被引：4

作者：

冯异

机构：

[1] 西安中为光电科技有限公司

来源：

光机电信息 | 2010年 / 27卷 / 01期

关键词：

发光二级管; 外量子效率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

近年来,GaN基发光二极管发展迅猛,但其发光效率一直是制约LED在照明领域广泛应用的主要瓶颈。本文简要介绍了提高发光二极管外量子效率的几种途径:生长分布布喇格反射层(DBR)结构,表面粗化技术,异性芯片技术,采用光子晶体结构,倒装芯片技术,激光剥离技术,透明衬底技术等。

引用

页码：23 / 28

页数：6

共 6 条

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