ESD保护器件在多晶硅上的实现

被引：3

作者：

孙郯

机构：

[1] 上海交通大学微电子学院

来源：

信息技术 | 2008年 / 32卷 / 12期

关键词：

ESD; ESD模型; TLP; 多晶硅;

D O I：

10.13274/j.cnki.hdzj.2008.12.008

中图分类号：

TN407 [测试和检验];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

静电放电现象是导致集成电路损坏的一个重要原因,目前绝大多数集成电路中的ESD保护电路都是在硅片上实现的,这将占用一定的硅片面积,提升电路的成本。如果能够在多晶硅层(垂直空间)实现ESD保护器件,就能够节约一定的面积,从而节约成本。介绍了对于在多晶硅上实现的静电保护器件的研究结果。

引用

页码：74 / 76+118 +118

页数：4

共 4 条

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