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第一性原理对Ga_nPm小团簇的结构及稳定性的研究
被引：15
作者：
李恩玲
杨成军
陈贵灿
王雪雯
马德明
机构：
[1] 西安交通大学微电子研究所,咸阳师范学院物理系,西安交通大学微电子研究所,西北大学电子系,西安理工大学理学院西安,西安理工大学理学院,西安,咸阳,西安,西安,西安
来源：
关键词：
GanPm团簇;
密度泛函理论(DFT);
几何结构;
电子态;
D O I：
暂无
中图分类号：
O471 [半导体理论];
学科分类号：
070204 [等离子体物理];
摘要：
利用密度泛函理论（DFT）对GanP和GanP2（n=1—7）团簇的几何结构、电子态及稳定性进行了研究.在B3LYP631G水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GanP和GanP2（n=1—7）团簇的基态结构.结果表明,n≤5团簇的几何结构基本上为平面结构,n>5的团簇均为立体结构;在GanP2（n=1—6）团簇中,PP比GaP容易成键;在GanP和GanP2（n=1—7）团簇中,Ga3P,Ga4P,GaP2,Ga2P2和Ga4P2的基态结构最稳定,在所研究的团簇中,稳定性随团簇总原子数的增大而减小.
引用
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页码：4117 / 4123
页数：7
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