氧化硅层中的锗纳米晶体团簇量子点

被引：13

作者：

刘世荣 ^{[1
]}

黄伟其 ^{[2
]}

秦朝建 ^{[1
]}

机构：

[1] 中国科学院地球化学研究所

[2] 贵州大学理学院光信息物理实验室

来源：

物理学报 | 2006年 / 05期

关键词：

锗晶体团簇; 纳米晶体; 量子点; 激光照射;

D O I：

暂无

中图分类号：

O471.4 [半导体晶体物理];

学科分类号：

070204 [等离子体物理];

摘要：

采用氧化和析出的方法在氧化硅中凝聚生成锗纳米晶体量子点结构.其形成的锗晶体团簇没有突出的棱角和支晶结构,锗晶体团簇的轮廓较圆混,故可以用球形量子点模型来模拟实际的锗晶体团簇.对比了在长时间退火氧化条件下和在短时间退火用激光照射氧化条件下所生成的锗纳米晶体结构的PL光谱和对应的锗纳米晶体团簇的尺寸分布.短时间退火氧化条件下生成的锗纳米晶体较小(3·28—3·96nm),长时间退火用激光照射氧化条件下所生成的锗纳米晶体较大(3·72—4·98nm);其分布结构显示某些尺寸的锗纳米晶体团簇较稳定,适当的氧化条件可以得到尺寸分布范围较窄的锗纳米晶体团簇.用量子点受限模型计算了锗纳米晶体团簇的能隙结构,用MonteCarlo方法模拟了PL光谱和对应的锗纳米晶体团簇的尺寸分布,分别与实验结果符合较好.

引用

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