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钨青铜型结构PBNN压电陶瓷电场-应变特性研究
被引：4
作者：
陈大任
李国荣
机构：
[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室!上海
[2] 不详
来源：
关键词：
压电陶瓷;
钨青铜型结构;
逆压电效应;
90°电畴畴壁转向;
D O I：
暂无
中图分类号：
TM28 [电工陶瓷材料];
学科分类号：
摘要：
对钨青铜结构型的压电陶瓷［Pbx（Ba．Sr）1-x］4（Na0．88Li0．12）2Nb10O30，x＝0．64（PBNN）的逆压电效应的应变（S）随电场（E）变化特性进行了研究，研究表明该材料的S-E线性好，滞后小．是一种制备随动型压电微位移器的优良材料．从X射线结构分析和S-E变化关系精细测量分析表明，该材料不存在钙钛矿结构型PZT系压电陶瓷（属赝立方铁电相）中由于，三晶轴在外电场下互换形成的畴的90°转向，仅有畴的180°转向．这是它S-E特性优良的原因．测量表明，其S-E关系在～350V／mm较高场强处斜率呈现～5％的微小突增，认为这是由于它属假正交晶系，在较强外场下轴长几乎相等的a、b轴间互换对应变的贡献所致．较
引用
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