低压ZnO压敏陶瓷晶界特性的研究

被引：2

作者：

章天金

周东祥

姜胜林

机构：

[1] 湖北大学物理学与电子技术学院!湖北武汉

[2] 华中理工大学电子科学与技术系!湖北武汉

来源：

电子元件与材料 | 2001年 / 01期

关键词：

晶粒边界; 电学特性; 介电常数; 介质损耗;

D O I：

10.14106/j.cnki.1001-2028.2001.01.011

中图分类号：

TN304.93 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

借助 HP4192 A低频阻抗分析仪 ,分析了低压 Zn O压敏陶瓷的 C- V特性及介电和损耗特性、添加物对Zn O压敏瓷晶界电学特性的影响。探讨了热处理气氛对 Zn O晶粒边界电性能的作用机理。实验结果表明 :Na+ 掺杂量增加时 ,施主浓度基本保持不变 ,而势垒高度、界面态密度和耗尽层宽度增加 ;在空气中退火 ,样品的施主浓度减少 ,势垒高度降低 ;在 Ar气中退火样品的施主浓度基本保持不变 ,而势垒高度下降较大 ;在音频范围内 ,Zn O压敏瓷具有很高的介电常数 (εr约 130 0 ) ;在 10 5～ 10 6 Hz范围内 ,εr下降较明显 ,与此对应 ,介质损耗角正切 tgδ在 10 5～ 10 6 Hz范围内出现一个峰值 ,该峰具有扩展的德拜驰豫峰特征

引用

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