共 2 条
非晶硅薄膜对钠离子的掩蔽能力
被引：3
作者：
何宇亮
薜正镠
机构：
[1] 南京大学物理系
[2] 上海测试技术研究所
来源：
关键词：
钠离子;
Si;
半导体器件;
电子设备;
晶硅薄膜;
深度分布;
D O I：
10.13290/j.cnki.bdtjs.1986.03.013
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
用法国制IMS 300型离子微分析仪对SiO2/C-Si,Si3N4/C-Si及α-Si:H/C-Si样品中的钠进行深度分布分析。实验结果指出α-Si:H膜掩蔽钠离子的能力最强,Si3N4次之,SiO2最差。
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