基于电容和电导特性分析GaN蓝光发光二极管老化机理

被引:9
作者
陈焕庭
吕毅军
陈忠
张海兵
高玉琳
陈国龙
机构
[1] 厦门大学物理系福建省半导体照明工程技术研究中心
关键词
GaN发光二极管; 负电容; 电导; 老化机理;
D O I
暂无
中图分类号
TN312.8 [];
学科分类号
0803 ;
摘要
采用正向交流小信号方法测试和分析老化前后GaN发光二极管(LED)的电容-电压特性,结合串联电阻、理想因子、隧穿电流参数讨论负电容以及电导变化情况.基于L-V曲线定性分析老化前后负电容的阈值电压,老化之后样管的受主浓度降低,辐射复合概率下降,大量缺陷以及非辐射复合中心出现,对载流子俘获作用增强,造成负电容降低.反向偏压以及小正向偏压下,隧穿效应导致老化之后样管的电导增大;正向偏压大于2.2V区域,考虑串联电阻效应,老化后样管电导减小.在分析LED电容-电压、光输出、电学特性曲线与老化机理基础上,通过实验论证以及理论解释表明,负电容以及电导特性可作为分析LED老化特性的参考依据.
引用
收藏
页码:5700 / 5704
页数:5
相关论文
共 3 条
[1]   发光二极管负电容与角频率的关系 [J].
谭延亮 ;
游开明 ;
陈列尊 ;
袁红志 .
半导体学报, 2007, (05) :741-744
[2]   发光二极管中负电容现象的机理 [J].
冯列峰 ;
朱传云 ;
陈永 ;
曾志斌 ;
王存达 .
光电子·激光, 2006, (01) :5-8
[3]   GaN蓝光发光二极管的负电容现象研究 [J].
曾志斌 ;
朱传云 ;
李乐 ;
赵锋 ;
王存达 .
光电子·激光, 2004, (04) :402-405