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基于电容和电导特性分析GaN蓝光发光二极管老化机理
被引:9
作者:
陈焕庭
吕毅军
陈忠
张海兵
高玉琳
陈国龙
机构:
[1] 厦门大学物理系福建省半导体照明工程技术研究中心
来源:
关键词:
GaN发光二极管;
负电容;
电导;
老化机理;
D O I:
暂无
中图分类号:
TN312.8 [];
学科分类号:
0803 ;
摘要:
采用正向交流小信号方法测试和分析老化前后GaN发光二极管(LED)的电容-电压特性,结合串联电阻、理想因子、隧穿电流参数讨论负电容以及电导变化情况.基于L-V曲线定性分析老化前后负电容的阈值电压,老化之后样管的受主浓度降低,辐射复合概率下降,大量缺陷以及非辐射复合中心出现,对载流子俘获作用增强,造成负电容降低.反向偏压以及小正向偏压下,隧穿效应导致老化之后样管的电导增大;正向偏压大于2.2V区域,考虑串联电阻效应,老化后样管电导减小.在分析LED电容-电压、光输出、电学特性曲线与老化机理基础上,通过实验论证以及理论解释表明,负电容以及电导特性可作为分析LED老化特性的参考依据.
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页码:5700 / 5704
页数:5
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