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ZnO量子点/SiO2复合器件的可调控电致发光研究
被引:3
作者
:
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宣荣卫
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张晓松
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机构:
天津理工大学材料物理研究所
天津理工大学理学院
张晓松
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牛喜平
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机构:
天津理工大学材料物理研究所
天津理工大学理学院
牛喜平
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徐建萍
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天津理工大学材料物理研究所
天津理工大学理学院
徐建萍
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吴燕宇
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天津理工大学材料物理研究所
天津理工大学理学院
吴燕宇
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罗程远
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天津理工大学材料物理研究所
天津理工大学理学院
罗程远
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]
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李萍
[
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吴金花
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中国电子科技集团公司第五十四研究所
天津理工大学理学院
吴金花
[
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]
李岚
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机构:
天津理工大学材料物理研究所
天津理工大学理学院
李岚
[
2
]
机构
:
[1]
天津理工大学理学院
[2]
天津理工大学材料物理研究所
[3]
中国电子科技集团公司第五十四研究所
来源
:
光电子激光.
|
2011年
/ 22卷
/ 11期
基金
:
天津市自然科学基金;
关键词
:
ZnO量子点/SiO2复合材料;
电致发光(EL);
光谱调控;
量子尺寸效应;
D O I
:
10.16136/j.joel.2011.11.014
中图分类号
:
TN383.1 [];
学科分类号
:
摘要
:
在不同浓度的SiO2乙醇溶液中制备了一系列ZnO量子点/SiO2复合材料,通过匀胶方法将其制备成复合薄膜器件。器件的电致发光(EL)随着SiO2浓度的增加逐渐蓝移。通过实验,探索了发生蓝移的机制。选取一种ZnO量子点/SiO2复合材料均匀混入不同质量的纯SiO2后,测试结果表明,该蓝移现象不是SiO2自身发光引起的。通过样品的X射线衍射(XRD)数据分析表明,ZnO量子点尺寸随SiO2浓度增加而减小,证实了量子尺寸效应是蓝移的原因之一。同时,进行多峰高斯拟合还发现,随着SiO2浓度的增加,绿光和橙红光发射峰比例随之增加,进一步证实了量子尺寸效应导致了复合器件的光谱蓝移。
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