ZnO量子点/SiO2复合器件的可调控电致发光研究

被引：3

作者：

宣荣卫 ^{[1
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张晓松 ^{[2
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牛喜平 ^{[2
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徐建萍 ^{[2
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吴燕宇 ^{[2
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罗程远 ^{[2
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李萍 ^{[1
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吴金花 ^{[3
]}

李岚 ^{[2
]}

机构：

[1] 天津理工大学理学院

[2] 天津理工大学材料物理研究所

[3] 中国电子科技集团公司第五十四研究所

来源：

光电子激光. | 2011年 / 22卷 / 11期

基金：

天津市自然科学基金;

关键词：

ZnO量子点/SiO2复合材料; 电致发光(EL); 光谱调控; 量子尺寸效应;

D O I：

10.16136/j.joel.2011.11.014

中图分类号：

TN383.1 [];

学科分类号：

摘要：

在不同浓度的SiO2乙醇溶液中制备了一系列ZnO量子点/SiO2复合材料,通过匀胶方法将其制备成复合薄膜器件。器件的电致发光(EL)随着SiO2浓度的增加逐渐蓝移。通过实验,探索了发生蓝移的机制。选取一种ZnO量子点/SiO2复合材料均匀混入不同质量的纯SiO2后,测试结果表明,该蓝移现象不是SiO2自身发光引起的。通过样品的X射线衍射(XRD)数据分析表明,ZnO量子点尺寸随SiO2浓度增加而减小,证实了量子尺寸效应是蓝移的原因之一。同时,进行多峰高斯拟合还发现,随着SiO2浓度的增加,绿光和橙红光发射峰比例随之增加,进一步证实了量子尺寸效应导致了复合器件的光谱蓝移。

引用

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页码：1613 / 1616

页数：4

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