光刻机照明光场强度分布校正技术研究

被引：12

作者：

马晓喆 ^{[1
,2
]}

张方 ^{[1
]}

黄惠杰 ^{[1
,2
]}

机构：

[1] 中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室

[2] 中国科学院大学材料与光电研究中心

来源：

中国激光 | 2021年 / 48卷 / 20期

基金：

上海市自然科学基金;

关键词：

成像系统; 光场强度分布校正; 模拟退火算法; 透过率分布优化算法; 步进扫描光刻机;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305.7 [光刻、掩膜];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

在28 nm及以下节点光刻机中,平顶高斯照明光场是减小脉冲量化误差对曝光剂量影响的关键技术之一。为降低平顶高斯照明光场产生组件的设计、加工和装调难度,提出一种光刻机照明光场强度分布校正技术。该技术通过较少次数的算法迭代可获得合适的光场校正板透过率分布,并将扫描方向强度分布的尺寸公差需求作为边界条件来降低校正引起的能量损失。所得到的光场校正板可同时对照明光场的非扫描方向积分均匀性和扫描方向光场强度分布进行校正。仿真分析结果表明,该技术获得的光场校正板可将照明光场的非扫描方向积分均匀性校正至0.29%以下,也可将扫描方向强度分布校正至指标范围内,校正引入的能量损失也可平均降低4.09%。所提技术可在一定程度上提高光刻机的产率。

引用

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页数：12

共 16 条

[1]

一种优化设计微反射镜阵列产生任意光刻照明光源的方法[P]. 李艳秋;魏立冬.中国专利:CN103941549A,2014-07-23

[2] 中频面形误差对离轴照明系统光场性能的影响 [J].