金属/多孔硅/单晶硅(M/PS/Si)微结构的电学特性

被引：4

作者：

孙鹏

胡明

刘博

孙凤云

许路加

机构：

[1] 天津大学电子信息工程学院

来源：

物理学报 | 2011年 / 60卷 / 05期

关键词：

M/PS/Si微结构; 孔隙率; I-V特性; 欧姆接触;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.12 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成金属电极,制备出M/PS/Si微结构.利用SEM分析多孔硅的表面形貌,通过测试其I-V特性分析M/PS/Si微结构的电学特性.结果表明由Pt做电极形成的M/PS/Si结构,表现出非整流特性.M/PS/Si结构的I-V曲线由线性区和非线性区组成,多孔硅孔隙率越高的M/PS/Si结构的I-V特性曲线线性区越宽.由Cu做电极形成的M/PS/Si结构,表现出整流特性.其整流比随多孔硅孔隙率增加而减小.

引用

页码：680 / 686

页数：7

共 5 条

[1] 基于微结构参数建模的多孔硅绝热层热导率研究 [J].