半导体量子结构和Si基光电子材料设计的新进展

被引：4

作者：

黄美纯

机构：

[1] 厦门大学物理学系!福建厦门

来源：

厦门大学学报(自然科学版) | 2001年 / 02期

关键词：

半导体量子结构; Si基光电子材料; Si纳米晶; 纳米硅/氧超晶格;

D O I：

暂无

中图分类号：

O471.5 [半导体能带结构];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 0809 ; 080903 ;

摘要：

评述近年来在半导体量子结构电子态理论应用于 Si基光电子材料设计方面的重要进展 .着重对有直接高技术应用背景的论题进行讨论和展望 .最近关于 Si纳米晶光增益和纳米硅 /氧超晶格材料超稳定电致发光等具有突破性发现的实验研究成果具有重要意义 .对本课题组在该领域的主要贡献及最近关于 Si/ O超晶格结构的理论研究进展也作简要报道 .这些研究正酝酿着信息领域光电子集成技术的重大突破 .

引用

页码：242 / 250

页数：9

共 8 条

[1] 密度泛函理论的若干进展 [J].

黄美纯 .

物理学进展, 2000, (03) :199-219

[2] 我国半导体物理研究进展 [J].

夏建白 ;

黄昆 .

物理, 1999, (09) :17-21

[3]

Variation of Electronic Structure with C Content in Si1-x-yGexCy/Si（001） System[J]. Meichun HUANG;Liqing WU and Zizhong ZHU(Department of Physics, Xiamen University, Xiamen 361005, China)To whom correspondence should be addressedE-mail: wlq@yanan. xmu. edu. cn.Journal of Materials Science ＆ Technology. 1999(04)

[4] 信息高科技领域中的半导体光电子学 [J].