掺Sb、Sn和Cd的In2O3的电性研究

被引：2

作者：

文世杰

G.Campet

J.Portier

洪广言

机构：

[1] 法国国家科研中心固体化学实验室波尔多大学

[2] 中国科学院长春应用化学研究所 Talence 法国

[3] Talence 法国

[4] Talence 法国

[5] 长春

来源：

功能材料 | 1993年 / 04期

关键词：

掺杂; In2O3; 电导率;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

本文研究了掺杂Sb、S_n及Cd的In2O3的电性质,并与纯的In2O3进行比较,得到一些有意义的结果。IO的电导率及载流子浓度主要由氧缺位所致;ITO和ISO的电导率和载流子浓度,主要由掺杂元素所致;掺Sn的电导率、载流子浓度和迁移率高于掺Sb,其原因在于在同样掺杂浓度的条件下,ITO中的中性杂质浓度低于ISO及掺Sn后使电子离域程度增大。在掺Cd浓度高时,随着Cd浓度增加,电导率和载流子浓度均降低。

引用

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