直流下SF6中绝缘子的闪络特性

被引：21

作者：

贾志杰 ^{[1
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张乔根 ^{[1
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张斌 ^{[1
]}

范建斌 ^{[2
]}

李金忠 ^{[2
]}

李鹏 ^{[2
]}

机构：

[1] 西安交通大学电气工程学院

[2] 中国电力科学研究院

来源：

高电压技术 | 2009年 / 35卷 / 08期

关键词：

表面电荷积聚; 表面电导率; 闪络电压; 表面粗糙度; 电场分布; 形状;

D O I：

10.13336/j.1003-6520.hve.2009.08.021

中图分类号：

TM85 [高电压绝缘技术];

学科分类号：

摘要：

直流气体绝缘金属封闭输电线路(GIL)在特殊环境下可替代部分架空输电线路或电缆,提高输电走廊选择的灵活性。严重影响GIL绝缘水平的关键因素之一是直流下沿支撑绝缘子表面的电荷积聚。为了研究该问题,建立了一个锥板电极系统来模拟GIL中同轴圆柱结构的电场分布,通过试验研究了直流下SF6中绝缘子的材料和形状对其闪络特性的影响,并利用有限元分析软件对不同形状的绝缘子进行了电场计算。结果表明,直流GIL中绝缘子的表面电导率和充电时间常数均对其表面电荷积聚和沿面闪络有重要影响。同时还提出了基于锥板电极的直流GIL的绝缘子表面电导率选取原则和外形结构优化注意事项。

引用

页码：1903 / 1907

页数：5

共 10 条

[1] GIS中绝缘子表面电荷积聚的观测与分析 [J].