光刻技术在PVDF压电薄膜电极制作中的应用

被引:6
作者
何存富
冯喜旺
吴斌
王秀彦
李隆涛
机构
[1] 北京工业大学机电学院
关键词
光刻技术; 聚偏二氟乙烯; 压电薄膜; 电极;
D O I
10.13873/j.1000-97872006.10.025
中图分类号
TB383.2 [];
学科分类号
070205 ; 080501 ; 1406 ;
摘要
为了在聚偏二氟乙烯(PVDF)压电薄膜上得到特定形状和尺寸的金电极,利用光刻技术的基本原理,分别实施了2种制备方案,即正性胶保护法和负性胶保护法。实验结果表明:负性胶保护法不能用于PVDF压电薄膜金电极的制作,而正性胶保护法能够成功地完成PVDF压电薄膜上金电极的制作,并已经成功地应用于高频超声换能器研制中。
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