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光刻技术在PVDF压电薄膜电极制作中的应用
被引:6
作者
:
何存富
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机构:
北京工业大学机电学院
何存富
冯喜旺
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机构:
北京工业大学机电学院
冯喜旺
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机构:
吴斌
王秀彦
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机构:
北京工业大学机电学院
王秀彦
李隆涛
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机构:
北京工业大学机电学院
李隆涛
机构
:
[1]
北京工业大学机电学院
来源
:
传感器与微系统
|
2006年
/ 10期
关键词
:
光刻技术;
聚偏二氟乙烯;
压电薄膜;
电极;
D O I
:
10.13873/j.1000-97872006.10.025
中图分类号
:
TB383.2 [];
学科分类号
:
070205 ;
080501 ;
1406 ;
摘要
:
为了在聚偏二氟乙烯(PVDF)压电薄膜上得到特定形状和尺寸的金电极,利用光刻技术的基本原理,分别实施了2种制备方案,即正性胶保护法和负性胶保护法。实验结果表明:负性胶保护法不能用于PVDF压电薄膜金电极的制作,而正性胶保护法能够成功地完成PVDF压电薄膜上金电极的制作,并已经成功地应用于高频超声换能器研制中。
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光刻技术在流体动力密封研究中的应用
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1998,
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:79
-82
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MEMS技术及其应用[M]. 哈尔滨工业大学出版社 , 李德胜等编著, 2002
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光刻技术在流体动力密封研究中的应用
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[7]
MEMS技术及其应用[M]. 哈尔滨工业大学出版社 , 李德胜等编著, 2002
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