荷控忆阻器等效电路分析模型及其电路特性研究

被引：17

作者：

胡丰伟 ^{[1
]}

包伯成 ^{[1
]}

武花干 ^{[2
]}

王春丽 ^{[1
]}

机构：

[1] 常州大学信息科学与工程学院

[2] 南京理工大学电子工程系

来源：

物理学报 | 2013年 / 62卷 / 21期

关键词：

荷控忆阻器; 等效电路; 伏安关系; 电路特性;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM13 [电路理论];

学科分类号：

080804 ; 080805 ;

摘要：

忆阻器是物理上新实现的具有记忆特性的基本二端电路元件.根据-q关系式的泰勒级数形式构建了荷控忆阻器等效电路分析模型,以三次非线性荷控忆阻器模型为例,对不同参数条件下的荷控忆阻器进行了伏安关系、有无源性等电路特性的理论分析.结果表明:荷控忆阻器的伏安关系具有斜体"8"字形紧磁滞回线特性,随其参数符号的不同,荷控忆阻器呈现出无源性和有源性,导致其电路特性发生相应的变化;相比无源荷控忆阻器,有源荷控忆阻器更适用于作为二次谐波信号产生电路使用.制作了荷控忆阻器特性分析等效电路的实验电路,实验测量结果很好地验证了理论分析结果.

引用

页码：404 / 411

页数：8

共 9 条

[1] 忆阻逾渗导电模型中的初态影响 [J].

李智炜 ;

刘海军 ;

徐欣 .

物理学报, 2013, 62 (09) :359-364

[2] 界面效应调制忆阻器研究进展 [J].

贾林楠 ;

黄安平 ;

郑晓虎 ;

肖志松 ;

王玫 .

物理学报, 2012, 61 (21) :434-444

[3] 忆阻电路的基本性质及其应用 [J].

宋德华 ;

吕梦菲 ;

任翔 ;

李萌萌 ;

俎云霄 .

物理学报, 2012, 61 (11) :489-496

[4] 忆阻混沌电路的分析与实现 [J].

包伯成 ;

胡文 ;

许建平 ;

刘中 ;

邹凌 .

物理学报, 2011, 60 (12) :63-70

[5] 有边界条件的忆阻元件模型及其性质 [J].

张旭 ;

周玉泽 ;

闭强 ;

杨兴华 ;

俎云霄 .

物理学报, 2010, 59 (09) :6673-6680

[6]

The voltage—current relationship and equivalent circuit implementation of parallel flux-controlled memristive circuits[J] . Bao Bo-Cheng,Feng Fei,Dong Wei,Pan Sai-Hu.Chinese Physics B . 2013 (6)

[7] Initial State Dependent Dynamical Behaviors in a Memristor Based Chaotic Circuit [J].

Bao Bo-Cheng ;

Xu Jian-Ping ;

Liu Zhong .

CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 27 (07)

[8]

Transient chaos in smooth memristor oscillator[J] . Bao Bo-Cheng,Liu Zhong,Xu Jian-Ping.Chinese Physics B . 2010 (3)

[9]

The elusive memristor: properties of basic electrical circuits[J] . Yogesh N Joglekar,Stephen J Wolf.European Journal of Physics . 2009 (4)

← 1 →