基片温度对氧化钒薄膜结构与电性能的影响

被引：4

作者：

吴淼

胡明

温宇峰

机构：

[1] 天津大学电子信息工程学院

来源：

压电与声光 | 2004年 / 06期

基金：

天津市自然科学基金;

关键词：

五氧化二钒; 真空蒸发; 退火; VOx薄膜; 基片温度; 电阻温度系数;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484 [薄膜物理学];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

以V2O5粉末为原料采用真空蒸发法结合真空退火还原法在玻璃基片上制备VOx薄膜,调节不同的基片温度获得几组薄膜。运用X-射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)分析发现随着基片温度的不同,薄膜成分、物相以及表面形貌有明显差异。在基片温度为200°C时所得薄膜的电阻温度系数(TCR)达到-0.03/°C,并发现基片温度越高,薄膜在室温附近的电阻率越低,电阻温度系数绝对值也越小。

引用

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