IGBT开关瞬态的温度特性与电热仿真模型

被引:26
作者
唐勇
汪波
陈明
机构
[1] 海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室
基金
国家自然科学基金重点项目;
关键词
绝缘栅双极型晶体管; 开关瞬态; 温度特性; 电热模型; 仿真研究;
D O I
10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.2012.12.020
中图分类号
TN322.8 [];
学科分类号
0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;
摘要
由于半导体的材料特性随温度的变化发生改变,采用硅材料制造的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作特性受温度的影响也十分显著,开关瞬态过程将随温度发生较大变化。针对不同温度下的开关过程开展了测试实验,发现IGBT的开通与关断瞬态具有不同的温度特性,根据实验现象对IGBT的开关过程进行了分析,得出IGBT开关瞬态的温度特性主要是受载流子寿命影响的结论。对IGBT电热模型的基本原理以及现有模型方法进行了分析,根据实验中得出的结论,提出了一种改进的IGBT电热模型。基于该模型对IGBT关断时的电流拖尾过程以及整个开关瞬态过程开展了电热仿真分析,通过仿真波形与实测波形的比较,验证了实验中得出的结论以及该模型的准确性。
引用
收藏
页码:146 / 153
页数:8
相关论文
共 8 条
[1]   场终止型绝缘栅双极型晶体管的开关瞬态模型 [J].
唐勇 ;
陈明 ;
汪波 ;
凌晨 .
中国电机工程学报, 2011, 31 (30) :54-60
[2]   IGBT栅极特性与参数提取 [J].
唐勇 ;
胡安 ;
陈明 .
电工技术学报, 2009, 24 (07) :76-80
[3]   变频器中的IGBT模块损耗计算及散热系统设计 [J].
胡建辉 ;
李锦庚 ;
邹继斌 ;
谭久彬 .
电工技术学报, 2009, 24 (03) :159-163
[4]   基于逆阻式IGBT的三相/单相矩阵式变换器 [J].
梅杨 ;
孙凯 ;
黄立培 .
电工技术学报, 2007, (03) :91-95
[5]   局域寿命控制NPT-IGBT瞬态模型 [J].
方健 ;
吴超 ;
乔明 ;
张波 ;
李肇基 .
半导体学报, 2006, (06) :1078-1083
[6]   倍频式IGBT高频感应加热电源的研究 [J].
蔡慧 ;
赵荣祥 ;
陈辉明 ;
汪世平 .
中国电机工程学报, 2006, (02) :154-158
[7]   基于IGBT开关暂态过程建模的功率变流器电磁干扰频谱估计 [J].
孟进 ;
马伟明 ;
张磊 ;
赵治华 .
中国电机工程学报, 2005, (20) :16-20
[8]  
半导体物理学[M]. 电子工业出版社 , 刘恩科等编著, 2003