场终止型绝缘栅双极型晶体管的开关瞬态模型

被引：7

作者：

唐勇

陈明

汪波

凌晨

机构：

[1] 舰船综合电力技术国防科技重点实验室(海军工程大学)

来源：

中国电机工程学报 | 2011年 / 31卷 / 30期

关键词：

绝缘栅双极型晶体管; 场终止结构; 开关瞬态模型;

D O I：

10.13334/j.0258-8013.pcsee.2011.30.001

中图分类号：

TN322.8 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

新一代场终止型(field stop,FS)绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的仿真模型目前都是采用传统穿通型(punch through,PT)IGBT的建模方法,由于FS结构与PT结构在厚度、掺杂浓度等方面都存在很大的不同,不可避免的会存在较大的偏差。在对已有PT模型进行理论分析和公式推导的基础上,根据FS型IGBT的结构特点和工作机制,在场终止层内采用了大注入的假设条件,同时考虑基区内载流子的复合作用,提出了一种改进的FS型开关瞬态模型。通过2种模型仿真波形与实测波形的比较,验证了该模型具有更高的准确性。

引用

页码：54 / 60

页数：7

共 9 条

[1] IGBT栅极特性与参数提取 [J].

唐勇 ;

胡安 ;

陈明 .

电工技术学报, 2009, 24 (07) :76-80

[2] 高频正弦波电流下IGBT能带结构和开关特性分析 [J].

孙孝峰 ;

金晓毅 ;

邬伟扬 ;

吴俊娟 .

中国电机工程学报, 2008, (12) :101-106

[3] 采用逆阻型IGBT的零电流开关PWM电流源型半桥变换器 [J].

肖华锋 ;

谢少军 .

中国电机工程学报, 2007, (31) :110-114

[4] 局域寿命控制NPT-IGBT瞬态模型 [J].

方健 ;

吴超 ;

乔明 ;

张波 ;

李肇基 .

半导体学报, 2006, (06) :1078-1083

[5] 倍频式IGBT高频感应加热电源的研究 [J].

蔡慧 ;

赵荣祥 ;

陈辉明 ;

汪世平 .

中国电机工程学报, 2006, (02) :154-158

[6] 新颖的IGBT SPICE模型及非破坏参数提取和验证(英文)附视频 [J].

袁寿财 ;

朱长纯 .

半导体学报, 2003, (07) :702-706

[7]

半导体物理学[M]. 电子工业出版社 , 刘恩科等编著, 2003

[8]

An improved method for IGBT base excess carrier lifetime extraction. Tang Yong,Chen Ming,Wang Bo. International Conference on Applied Super-conductivity and Electromagnetic Devices . 2009

[9]

Physical CAD Model for High-Voltage IGBTs Based on Lumped-Charge Approach. Francesco Iannuzzo,Giovanni Busatto. IEEE Transactions on Power Electronics . 2004

← 1 →