飞秒激光形成的半导体低维结构与发光

被引：6

作者：

张荣涛 ^{[1
]}

许丽 ^{[2
]}

吴克跃 ^{[3
]}

机构：

[1] 贵州大学贵州省光电子技术与应用重点实验室

[2] 山西大同大学物理系

[3] 皖西学院数理系

来源：

光学学报 | 2009年 / 29卷 / 03期

关键词：

激光技术; 飞秒激光; 低维结构; 等离子体波; 光致荧光;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN249 [激光的应用];

学科分类号：

摘要：

采用飞秒激光辐照硅和硅锗样品,用扫描电子显微镜(SEM)观察样品,发现样品上产生了某些低维结构。用飞秒激光作用产生等离子体相干驻波对硅和硅锗表面的融蚀模型来解释低维结构的形成机制,发现硅的表面周期约为400 nm的光栅结构在波长719 nm处有较强的光致荧光(PL)峰。该光致荧光的发光强度较小,其机制可从激光的脉宽和重复率两个方面来分析。当激光辐照的能量明显超过硅的融蚀阈值时,光栅形状消失,另一种锥状结构开始形成。控制加工条件,可以获得用于衍射和微分束的纳米光栅。

引用

页码：743 / 746

页数：4

共 8 条

[1] 不同烧蚀条件下飞秒激光脉冲诱导ZnO纳米结构研究 [J].

郭晓东 ;

李儒新 ;

余昺鲲 ;

马洪良 .

光学学报, 2008, (05) :1017-1020

[2] 飞秒激光微加工:激光精密加工领域的新前沿 [J].

何飞 ;

程亚 .

中国激光, 2007, (05) :595-622

[3] 飞秒激光在6H SiC晶体表面制备纳米微结构 [J].

吴晓君 ;

贾天卿 ;

赵福利 ;

黄敏 ;

陈洪新 ;

许宁生 ;

徐至展 .

光学学报, 2007, (01) :105-110

[4] 超短激光脉冲对硅表面微构造的研究 [J].

李平 ;

王煜 ;

冯国进 ;

郑春弟 ;

赵利 ;

朱京涛 .

中国激光, 2006, (12) :1688-1691

[5] 飞秒激光加工微光学元件的研究 [J].

孙晓慧 ;

周常河 .

中国激光, 2006, (01) :133-137

[6] 脉冲激光辐照硅材料引起表面波纹的特性研究 [J].

袁永华 ;

刘颂豪 ;

孙承纬 ;

廖常俊 ;

王伟平 ;

张大勇 .

光学学报, 2004, (02) :239-242

[7]

Formation of regular arrays of silicon microspikes by femtosecond laser irradiation through a mask .2 M. Y. Shen,C. H. Crouch,J. E. Carey,et al. Applied physics letters . 2003

[8]

PL spectra and quantum confinement analysis of Ge nanostructures in rapid oxidation of SiGe substrate .2 Huang Weiqi,Liu Shirong. Modern Phys.Lett.B . 2005

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