GaN发光二极管的老化数学模型及寿命测试方法

GaN发光二极管因其寿命、效率和环保等优点得到了广泛的应用。寿命问题一直是限制GaN发光二极管应用的核心问题。为了研究GaN发光二极管的老化过程,计算了GaN发光二极管物理参数,分析了GaN发光二极管的深能级缺陷和非辐射复合中心增加的老化原理,并且针对该原理的老化过程进行物理原理的分析推导,进而建立了老化数学模型。同时,利用一组实际的GaN发光二极管大应力老化实验的数据进行计算,提出了利用该数学模型的GaN发光二极管寿命的测试方法和数学计算方法,并计算出实验GaN发光二极管的寿命数值。提出的GaN发光二极管老化数学模型对比传统的阿伦纽斯模型具有针对性强、物理意义明显和寿命预测准等优点,具有很好的实际应用价值。