顶发射聚合物发光二极管的出光率分析

被引：3

作者：

桂宇畅 ^{[1
]}

文尚胜 ^{[1
,2
]}

张剑平 ^{[1
]}

王保争 ^{[1
]}

赵宝锋 ^{[1
]}

机构：

[1] 华南理工大学高分子光电材料及器件研究所

[2] 华南理工大学特种功能材料教育部重点实验室

来源：

光学学报 | 2011年 / 31卷 / 06期

关键词：

薄膜; 顶发射聚合物发光二极管; 出光率; 传输矩阵法; 分布布拉格反射器;

D O I：

暂无

中图分类号：

O435.1 [反射与折射];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

采用传输矩阵法及Matlab软件模拟以聚合物MEH-PPV为发光材料的顶发射聚合物发光二极管(TEPLED)出光率,探讨了阳极材料、阴极材料、折射率匹配层以及发光角度等对器件出光率的影响。从仿真结果可知以传统分布布拉格反射器(DBR)为衬底的器件与以Ag膜为反射阳极的器件相比,表现出更高的出光率,达到47.43%。针对半透明金属阴极对光线的吸收和反射问题,设计了以透明材料为阴极的器件,提高了TEPLED出光率,达到67.11%,与以Ag膜为阴极的器件相比,出光率高出10%。分析了DBR对器件出光角度的影响,结果表明,器件在较小出光角度范围(30°)内DBR结构对整个TEPLED出光率影响较小;当角度大于30°时,器件出光率受DBR的反射特征影响较大。DBR的应用为TEPLED出光率的优化设计提供了理论依据。

引用

页码：298 / 304

页数：7

共 12 条

[1] GaN基蓝光发光二极管分布布拉格反射器的设计 [J].