多晶硅表面陷阱坑形貌对表面光反射率的影响

被引：7

作者：

钱勇 ^{[1
,2
]}

冯仕猛 ^{[1
]}

机构：

[1] 上海交通大学物理系

[2] 上海航天技术研究院

来源：

光学学报 | 2012年 / 32卷 / 02期

关键词：

太阳能电池; 多晶硅; 形貌; 陷光效应; 反射率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM914.41 [];

学科分类号：

080502 ;

摘要：

利用光学傅里叶变换研究多晶硅绒面微结构形貌与反射率之间的关系。理论分析表明:多晶硅绒面反射率与表面微结构形貌、单位面积上陷阱坑数量有关。如绒面由V字型槽或坑构成,则绒面反射率比较高;如多晶硅表面上密集布满U字形坑或槽、内表面绒面化,这种结构构成的绒面反射率低。实验上用不同比例的酸液刻蚀多晶体表面,用扫描电镜(SEM)观察多晶硅表面SEM图,测量了其表面反射率,分析表面结构形貌与反射率的关系。实验结果与理论分析相吻合。

引用

页码：301 / 306

页数：6

共 10 条

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