相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术

被引：15

作者：

冯伯儒

张锦

侯德胜

周崇喜

苏平

机构：

[1] 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室!四川成都

[2] 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室!四川成都四川大学物理系

[3] 四川成都

[4] 中国科学院光电

来源：

关键词：

相移掩模; 光学邻近效应校正; 光刻技术;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305.7 [光刻、掩膜];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法、改善光刻图形质量的机理及邻近效应校正掩模的一些设计问题

引用

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