深亚微米CMOS电路多电源全芯片ESD技术研究

被引：6

作者：

杨兵 ^{[1
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]}

罗静 ^{[2
]}

于宗光 ^{[1
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]}

机构：

[1] 江南大学物联网学院

[2] 中国电子科技集团公司第五十八研究所

来源：

电子器件 | 2012年 / 35卷 / 03期

关键词：

ESD; 全芯片ESD; 深亚微米; 多电源; HBM;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN432 [场效应型];

学科分类号：

摘要：

深亚微米CMOS电路具有器件特征尺寸小、复杂度高、面积大、数模混合等特点,电路全芯片ESD设计已经成为设计师面临的一个新的挑战。多电源CMOS电路全芯片ESD技术研究依据工艺、器件、电路三个层次进行,对芯片ESD设计关键点进行详细分析,制定了全芯片ESD设计方案与系统架构,该方案采用SMIC0.35μm 2P4M Polycide混合信号CMOS工艺流片验证,结果为电路HBM ESD等级达到4 500 V,表明该全芯片ESD方案具有良好的ESD防护能力。

引用

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页数：5